研磨/減薄
• 支持:Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,藍寶石,陶瓷等
• 均勻性:±2um
• 減薄厚度:≥100um
拋光
• 支持:Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,藍寶石,陶瓷等
• 表面粗糙度:1-50nm
激光切割
• 支持:Si基MEMS產品
• 樣品厚度:100-700μm
• 切割寬度:≤10μm
• 樣品尺寸:8寸(向下兼容)
刀片晶圓切割
• 支持:Si,Ge,玻璃,石英,陶瓷,電路板(8英寸卡盤,不同材料選用不同刀片)
• 切割道寬度:≥50um
挑粒
• 處理尺寸:6、8寸原材料,可挑取最小150um的芯片
• 選件:提供背面、邊緣檢查選件,芯片翻轉選件
• UPH:700~1200,取決于產品