FIB,聚焦離子束,使用聚焦良好的離子束對樣品進行修改并且取得圖像。FIB主要是通過SEM、STEM、TEM成像之后,取得非常精確地樣品截面或者是執行電路修改。
技術參數 • 電子束系統分辨率: 1.1nm(20kV)/1.5nm(10kV)/2.5nm(1kV) • 離子束系統分辨率: 5nm(30kV,1pA) • 電子束加速電壓: 0.1-30 kV • 離子束加速電壓: 0.5-30 kV • 電子束流: 4pA-100nA • 離子束流: 1pA-50nA
減薄、晶圓切割、挑粒
BGA封裝
QFN/DFN封裝
SOP8封裝
SOT封裝
TO封裝
COB封裝
陶瓷管殼封裝
芯片測試
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