此設備為緊湊型場發射掃描電鏡,成像分辨率優于10nm。低加速電壓成像,有效減少電荷累積,非導電樣品,無須噴金噴碳處理,便可直接進行觀察。
技術參數 • 電子槍:場發射電子源 • 加速電壓:0.5 to 2 kV • 束流:0.2 to 1 nA • 分辨率:<10 nm (@1kV) • 放大倍數:250 to 130,000x (2048×2048pixels) • 樣品尺寸:最大 100×60 mm • 樣品高度:最大 30 mm
減薄、晶圓切割、挑粒
BGA封裝
QFN/DFN封裝
SOP8封裝
SOT封裝
TO封裝
COB封裝
陶瓷管殼封裝
芯片測試
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